Электронные приборы. Часть 1

Затвором называют

• общий электрод от контактов областей
• контакт, через который носители заряда входят в канал
• часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами
• контакт, через который носители заряда вытекают

Диоды классифицируются по типу электрического перехода на

• кремниевые, германиевые, из арсенида галлия
• точечные и плоскостные
• сплавные, диффузионные
• выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

Светодиоды — это излучающие полупроводниковые приборы, имеющие

• два p-n-перехода
• два контакта, с меняющимся в зависимости от интенсивности падающего излучения электрическим сопротивлением
• один p-n-переход и два контакта, использующие внутренний фотоэффект
• один p-n-переход, преобразующие электрическую энергию в энергию некогерентного светового излучения

Динисторами называют полупроводниковые приборы

• которые могут усилить сигнал без внесения помех и искажений сверх нормы
• работающие как широкополосные усилители
• с двумя устойчивыми режимами работы
• имеющие два силовых электрода

Параметры, характеризующие свойства полевого транзистора усиливать напряжение, следующие

• внутреннее дифференциальное сопротивление
• коэффициент усиления
• крутизна стокозатворной характеристики
• барьерная емкость р-n перехода

В диффузных биполярных транзисторах

• концентрация атомов примесей различна в различных точках базы
• дополнительное электрическое поле оказывает существенное влияние на движение носителей через базу
• концентрация атомов примесей в базе примерно одинакова во всех ее частях
• движение атомов примесей происходит главным образом в форме диффузии

Для улучшения свойств импульсных диодов при их проектировании берется исходный материал с

• большим временем жизни носителей заряда и р-n переход с малой площадью
• малым временем жизни носителей заряда и р-n переход с большой площадью
• большим временем жизни носителей заряда и р-n переход c большой площадью
• малым временем жизни носителей заряда и р-n переход с малой площадью

Если отрезок времени, в течение которого диод находится в режиме лавинного пробоя, невелик, то

• процесс рекомбинации замедлен
• диффузионная емкость перехода равна нулю
• его p-n-переход не успевает перегреться, и диод не выходит из строя
• участок электрического пробоя практически отсутствует

Точечные диоды можно использовать для выпрямления __________ переменных токов

• малых низкочастотных
• больших высокочастотных
• больших
• малых

Характерной особенностью незапираемого тиристора является то, что

• изменение температуры влияет на значение обратного тока коллекторного перехода
• он передает части энергии усиливаемого сигнала из выходной цепи усилителя во входную
• его нельзя выключить с помощью тока управления
• полярности напряжений противоположны и происходит сдвиг фаз на 180° между UВХ и UВЫХ

Стабилитрон — это полупроводниковый диод

• с одним электрическим переходом и двумя омическими контактами с двумя выводами
• работающий в режиме электрического пробоя
• сконструированный на основе вырожденного полупроводника
• обладающий усилительными свойствами

Туннельные диоды могут работать в диапазоне температур от

• 140 до 340 K
• 140 до 640 K
• 4 до 240 K
• 4 до 640 K

Входной ток логического нуля интегральных схем — это

• значение тока, потребляемого интегральной схемой, от источников питания в заданном режиме
• входной ток, обеспечивающий формирование логического нуля
• значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах
• входной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

По принципу действия фотоприёмники можно подразделить на

• тепловые
• содержащие гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля
• электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации
• фотоэлектрические

Схема включения транзистора в электрическую цепь называется схемой с общим эмиттером, если

• база является общим электродом для источников напряжения
• коллекторный переход смещен в обратном направлении, а эмиттерный переход или смещен в обратном направлении, или находится под очень малым прямым напряжением
• эмиттер является общим электродом для источников напряжения
• коллектор является общим электродом для источников напряжения

Туннельные диоды обычно работают на участке __________ дифференциальным сопротивлением

• ФЧХ с отрицательным
• ФЧХ с положительным
• ВАХ с отрицательным
• ВАХ с положительным

Диоды классифицируются по назначению на

• выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы
• туннельные, фотодиоды, светодиоды
• точечные и плоскостные
• сплавные, диффузионные

Дрейфовым током является перемещение

• основных носителей против поля р-n перехода
• неосновных носителей в направлении поля р-n перехода
• одновременно с основными носителями неосновных носителей против поля р-n перехода
• одновременно с основными носителями неосновных носителей в направлении поля р-n перехода

Стабистором называется полупроводниковый диод

• напряжение на котором при прямом включении мало зависит от тока
• спроектированный с расчетом на работу в режиме тоннельного пробоя
• напряжение на котором при обратном включении мало зависит от тока
• спроектированный с расчетом на работу в режиме лавинного пробоя в течение некоторого короткого времени

Эмиттером называется

• контакт металл — полупроводник
• электронно-дырочный переход
• область, в которую инжектируются носители заряда
• область, из которой инжектируются носители заряда

Туннельным диодом называют полупроводниковый прибор

• из исходного материала с малым временем жизни носителей заряда и р-n переходом большой площади
• сконструированный на основе вырожденного полупроводника
• с одним электрическим переходом и двумя омическими контактами с двумя выводами
• сконструированный на основе полупроводника с низким содержанием примеси

Оптопара с управляемым оптическим каналом

• выполняется в виде прозрачной среды и предназначен для передачи энергии излучения на фотоприемник
• есть зазор между излучателем и приемником для доступа извне
• в виде гибкого волоконно-оптического световода — кабеля, сочлененного с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом
• прозрачная среда выполняется из материала, светопропускание которого изменяется при внешних воздействиях

Входной ток логической единицы интегральных схем — это

• значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах
• входной ток, обеспечивающий формирование логического нуля
• входной ток, обеспечивающий формирование логической единицы
• значение тока, потребляемого интегральной схемой, от источников питания в заданном режиме

Для участка вольт-амперной характеристики p-n-перехода, соответствующего пробою, характерно

• незначительное увеличение прямого напряжения при резком увеличении прямого тока
• значительное увеличение обратного напряжения при незначительном увеличении обратного тока
• значительное увеличение прямого напряжения при незначительном увеличении прямого тока
• незначительное увеличение обратного напряжения при резком увеличении обратного тока

Инверсным режим работы транзистора называют, когда

• в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный — в обратном
• оба p-n-перехода смещены в обратном направлении
• коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер — роль коллектора
• один переход смещен в прямом направлении, а другой — в обратном

Усиление мощности входного сигнала и уменьшение тока при работе транзистора достигается путем

• вплавления примесей
• уменьшения толщины базы
• смещение перехода в прямом направлении
• включения инверсного режима работы транзистора

Напряжение отпускания интегральных схем — это

• наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое
• наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое
• наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока
• наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров И

Полевые транзисторы — это полупроводниковые приборы

• с двумя устойчивыми режимами работы, имеющие три или более p-n переходов
• усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемым током
• усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемым электрическим полем
• с двумя устойчивыми режимами работы, управляемыми электрическим полем

Усилительные свойства биполярных транзисторов обусловлены явлениями инжекции

• основных носителей и экстракции неосновных носителей заряда
• неосновных носителей и экстракции основных носителей заряда
• и экстракции неосновных носителей заряда
• основных носителей заряда

Полевые транзисторы предназначены для

• импульсных переключающих устройств
• усиления на высоких и сверх высоких частотах
• усиления мощности и преобразования электрических колебаний
• усилительных устройств, для малых переменных токов

В дрейфовых биполярных транзисторах

• концентрация атомов примесей различна в различных точках базы
• движение атомов примесей происходит, главным образом, в форме диффузии
• концентрация атомов примесей в базе примерно одинакова во всех ее частях
• дополнительное электрическое поле оказывает существенное влияние на движение носителей через базу

Существуют типы полупроводниковых индикаторов

• цифровые и буквенно-цифровые
• светодиодные
• люминесцентные
• одно- и многоразрядные

Аналоговые интегральные схемы предназначены для

• обработки сигналов, заданных в виде непрерывной функции
• обработки сигналов, заданных в виде дискретных функций
• для задержки сигналов
• программирования и хранения цифровых массивов

Включение p-n перехода называется обратным, если подключить к p-n переходу внешний источник напряжения так, что

• «-» будет подключен к p-области
• «-» будет подключен к n-области
• «+» — к p-области
• «+» — к n-области

Проводимость полупроводников в значительной степени зависит от

• наличия примесей
• температуры
• состава атмосферы
• атмосферного давления

Коллектор — это

• крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для экстракции
• крайняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей
• крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для инжекции носителей
• средняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей

Процесс, приводящий к исчезновению свободного электрона и дырки, называется

• рекомбинацией
• регенерацией
• ионизацией
• генерацией

Пассивные элементы гибридных ИС могут быть выполнены

• как вакуумные микродиодные и триодные структуры
• на основе толстопленочной технологии
• по полупроводниковой технологии и монтируются на поверхность полупроводниковой подложки
• на основе тонкопленочной технологии

Статические выходные характеристики для схемы с ОБ — это

• при UКЭ=const
• при UКБ=const
• при IЭ=const
• при IБ=const

Зависимость тока i от напряжения u в полупроводнике называют _________ характеристикой p-n-перехода

• вольт-амперной
• вебер-амперной
• кулон-вольтной
• внешней

Тепловым называют ток, образованный

• концентрацией неосновных носителей заряда р-n перехода
• перемещением неосновных носители заряда в смежную область, где они являются основными
• концентрацией основных носителей заряда р-n перехода
• перемещением основные носители заряда в смежную область, где они являются неосновными

Процесс возникновения свободного электрона и дырки в полупроводнике называется

• регенерацией
• ионизацией
• рекомбинацией
• генерацией

Напряжение срабатывания интегральных схем — это

• наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока
• наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров ИС
• наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое
• наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

Волоконно-оптические линии связи

• приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы
• электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации
• оптоэлектронный прибор в котором конструктивно объединены в общем корпусе излучатель на входе и фотоприемник на выходе, взаимодействующие друг с другом оптически и электрически
• устройства и системы, содержащие гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля, сочлененный с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом

Туннельный пробой имеет место в (при)

• р-n-переходах с низкоомной базой
• р-n-переходах с высокоомной базой
• отрицательном дифференциальном сопротивлении
• разогреве полупроводника в области р-n-перехода и соответствующем увеличении удельной проводимости

Чувствительность интегральных схем — это

• наименьшее значение входного напряжения, при котором электрические параметры интегральной схемы соответствуют заданным значениям
• наибольшее значение входного напряжения, при котором электрические параметры интегральной схемы соответствуют заданным значениям
• заданное значение входного напряжения, при котором электрические параметры интегральной схемы соответствуют заданным значениям
• среднее значение входного напряжения, при котором электрические параметры интегральной схемы соответствуют заданным значениям

База биполярного транзистора — это

• крайняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей
• средняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей
• крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для инжекции носителей
• крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для экстракции

Выходной ток логической единицы интегральных схем — это

• значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах
• выходной ток, обеспечивающий формирование логического нуля
• выходной ток, обеспечивающий формирование логической единицы
• значение тока в выходной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии выхода и заданных режимах на остальных выводах

Тиристорами называют полупроводниковые приборы

• усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемых током
• усилительные свойства которых обусловлены потоком основных носителей, управляемых электрическим полем
• с двумя устойчивыми режимами работы (включен, выключен), имеющие три или более p-n переходов
• с двумя устойчивыми режимами работы, управляемыми электрическим полем

Простой светопровод выполняется в виде

• открытого оптического канала в котором есть зазор между излучателем и приемником для доступа извне
• материала, светопропускание которого изменяется при внешних воздействиях
• прозрачной среды и предназначен для передачи энергии излучения на фотоприемник
• гибкого волоконно-оптический световода в виде кабеля, сочлененного с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом