Электронные приборы. Часть 1

МДП-транзистор со встроенным каналом может работать в режимах: 1) обеднения; 2) обогащения; 3) насыщения; 4) отсечки — из перечисленного

• 1, 2, 4
• 3, 4
• 1, 2
• 1, 3, 4

На рисунке изображена схема включения транзистора

• с общим коллектором
• инверсного
• с общей базой
• с общим эмиттером

На рисунке изображен

• варикап
• стабилитрон
• туннельный диод
• тиристор

На рисунке изображен МДП-транзистор

• с индуцированным каналом n-типа
• с индуцированным каналом p-типа
• со встроенным каналом p-типа
• со встроенным каналом n-типа

Характеристика полевого транзистора, изображенная на рисунке, называется

• стокоистоковой
• истокостоковой
• стокозатворной
• затворностоковой

Режим работы транзистора, соответствующий токам коллектора, сравнимым с обратным током коллектора, называют

• режимом отсечки
• ключевым
• режимом насыщения
• активным

К статическим параметрам цифровых микросхем относятся: 1) время перехода из состояния логического 0 в состояние логической 1; 2) напряжение источника питания; 3) коэффициент разветвления по выходу; 4) среднее время задержки распространения сигнала; 5) средняя потребляемая мощность — из перечисленного

• 1, 4
• 1, 2, 3
• 2, 3
• 2, 3, 5

На рисунке изображены

• симисторы
• варикапы
• туннельные диоды
• диоды Шоттки

Коэффициент полезного действия оптоэлектронных приборов составляет

• 1-5%
• 50-70%
• 10-20%
• 80-90%

На рисунке изображен

• туннельный диод
• диод Шоттки
• варикап
• стабилитрон

К эксплуатационным параметрам микросхем относятся: 1) средняя потребляемая мощность; 2) диапазон рабочих температур; 3) допустимые механические нагрузки; 4) напряжение источника питания — из перечисленного

• 1, 4
• 1, 2, 4
• 2, 3, 4
• 2, 3

Симистор подобен

• паре тиристоров, включенных параллельно
• тиристору, включенному в обратном направлении
• паре тиристоров, включенных встречно-параллельно
• паре диодов, включенных встречно-параллельно

Состояние ячейки памяти на основе полевого транзистора с изолированным затвором может сохраняться

• от 1 до 5 лет
• более 10 лет
• до 1 года
• до 1 месяца

Характерная особенность диода Шотки:

• используется выпрямляющий контакт металл-полупроводник
• предназначен для стабилизации малых напряжений
• предназначен для работы в качестве конденсатора
• наличие на прямой ветви вольтамперной характеристики участка с отрицательным дифференциальным сопротивлением

На рисунке изображен:

• диод Шоттки
• туннельный диод
• тиристор
• варикап

В режиме насыщения биполярного транзистора:

• оба перехода смещены в обратном направлении
• коллекторный переход смещён в обратном направлении, а эмиттерный в прямом
• коллекторный переход смещён в обратном направлении, а эмиттерный находится под очень малым прямым напряжением
• оба перехода смещены в прямом направлении

В обозначении светодиода первая буква указывает на

• вид прибора
• подвид светодиода
• материал изготовления
• конструктивное исполнение

Характерной особенностью пробоя р-n-перехода является резкое

• уменьшение дифференциального сопротивления перехода
• уменьшение барьерной емкости перехода
• увеличение дифференциального сопротивления перехода
• увеличение барьерной емкости перехода

На рисунке изображена схема включения транзистора

• инверсного
• с общим коллектором
• с общей базой
• с общим эмиттером

Общая емкость p-n-перехода равна

• диффузной емкости
• произведению барьерной и диффузной емкостей
• барьерной емкости
• сумме барьерной и диффузной емкостей

К динамическим параметрам цифровых микросхем относятся: 1) время перехода из состояния логического 0 в состояние логической 1; 2) напряжение источника питания; 3) коэффициент разветвления по выходу; 4) среднее время задержки распространения сигнала; 5) средняя потребляемая мощность — из перечисленного

• 1, 4, 5
• 1, 3, 4
• 2, 3, 5
• 1, 4

Плёночная схема:

• интегральная схема, в которой отдельные элементы и межэлементные соединения выполняются на поверхности диэлектрика
• микроэлектронное изделие, выполняющее определённую функцию преобразования и обработки сигнала
• интегральная схема, которая содержит компоненты и отдельные кристаллы полупроводника
• интегральная схема, в которой все элементы и межэлементные соединения выполнены в объёме или на поверхности полупроводника

К фотоприемникам дискретных сигналов предъявляются требования: 1) широкий спектр; 2) большой КПД; 3) высокое быстродействие; 4) возможность фотонного накопления — из перечисленного

• 2, 3
• 3, 4
• 1, 4
• 1, 2

Фотоприемники, использующие внешний или внутренний фотоэффект, называются

• полупроводниковыми
• тепловыми
• фотонными
• емкостными

В обозначении светодиода вторая буква указывает на

• конструктивное исполнение
• вид прибора
• материал изготовления
• подвид светодиода

Полевые транзисторы бывают: 1) с управляющим переходом; 2) с управляющим затвором; 3) с изолированным затвором; 4) с изолированным переходом — из перечисленного

• 2, 3
• 1, 4
• 1, 3
• 2, 4

Зависимость тока от освещенности при заданном напряжении на фоторезисторе называется характеристикой

• вольт-амперной
• люмено-амперной
• переходной
• люкс-амперной

Фотодиод работает в режиме фотогенератора при

• u0
• u>0, i>0
• u
• u>0, i
• микроэлектронное изделие, выполняющее определённую функцию преобразования и обработки сигнала
• интегральная схема, в которой все элементы и межэлементные соединения выполнены в объёме или на поверхности полупроводника
• интегральная схема, которая содержит компоненты и отдельные кристаллы полупроводника
• интегральная схема, в которой отдельные элементы и межэлементные соединения выполняются на поверхности диэлектрика
• тиристор
• диод
• стабилитрон
• варикап
• люмено-амперной
• переходными
• вольт-амперными
• люкс-амперными
• транзистора
• диода для прямого включения
• диода для обратного включения
• резистора
• 3, 4
• 2, 4
• 1, 3
• 1, 2
• светодиодом
• стабилитроном
• фотодиодом
• оптодиодом
• 3, 4
• 1, 4
• 2, 3
• 1, 2
• СИС
• СБИС
• МИС
• БИС
• полупроводниковый прибор, в котором выходным током управляют с помощью электрического поля
• полупроводниковый прибор с одним выпрямляющим электирическим переходом
• полупроводниковый прибор с двумя p-n переходами, имеющий три вывода
• полупроводниковый прибор с двумя устойчивыми режимами работы, имеющий три p-n перехода
• тепловой
• туннельный
• механический
• лавинный
• светодиод — фототиристор
• фоторезистор-фотодиод
• фотодиод- фототиристор
• фотодиод-фототранзистор
• со встроенным каналом p-типа
• со встроенным каналом n-типа
• с индуцированным каналом p-типа
• с индуцированным каналом n-типа
• 3, 4
• 1, 3
• 2, 4
• 1, 2
• коллекторный переход смещен в обратном направлении, а эмиттерный — в прямом
• коллекторный и эмиттерный переходы смещены в прямом направлении
• коллекторный и эмиттерный переходы смещены в обратном направлении
• коллекторный переход смещен в прямом направлении, а эмиттерный — в обратном
• 2, 3
• 1, 4
• 1, 2
• 3, 4
• полупроводник с двумя устойчивыми режимами работы, имеющий три р-п перехода
• активный полупроводниковый прибор, в котором выходным током управляют с помощью электрического поля
• полупроводниковый прибор с двумя p-n-переходами, имеющий три вывода
• полупроводниковый прибор с одним выпрямляющим электрическим переходом
• 1, 2
• 3, 4
• 2, 4
• 1, 3
• 10000
• 100000
• 100
• 1000
• влажности окружающей среды
• концентрации примеси
• температуры окружающей среды
• давления окружающей среды
• 3, 4
• 2, 3
• 1, 2
• 1, 4
• туннельный
• лавинный
• тепловой
• механический
• со встроенным каналом p-типа
• с индуцированным каналом n-типа
• со встроенным каналом n-типа
• с индуцированным каналом p-типа

Полупроводниковая схема:

• микроэлектронное изделие, выполняющее определённую функцию преобразования и обработки сигнала
• интегральная схема, в которой все элементы и межэлементные соединения выполнены в объёме или на поверхности полупроводника
• интегральная схема, которая содержит компоненты и отдельные кристаллы полупроводника
• интегральная схема, в которой отдельные элементы и межэлементные соединения выполняются на поверхности диэлектрика

На рисунке изображен

• тиристор
• диод
• стабилитрон
• варикап

Фототранзисторы описываются характеристиками

• люмено-амперной
• переходными
• вольт-амперными
• люкс-амперными

На рисунке изображена эквивалентная схема идеального

• транзистора
• диода для прямого включения
• диода для обратного включения
• резистора

По принципу действия все фотоприемники подразделяются на: 1) полупроводниковые; 2) емкостные; 3) тепловые; 4) фотонные — из перечисленного

• 3, 4
• 2, 4
• 1, 3
• 1, 2

Излучающий диод, работающий в видимом диапазоне волн, называют

• светодиодом
• стабилитроном
• фотодиодом
• оптодиодом

Оптоэлектронными приборами являются: 1) излучатели; 2) приемники излучения; 3) стабисторы; 4) диоды Шоттки — из перечисленного

• 3, 4
• 1, 4
• 2, 3
• 1, 2

Аналоговая интегральная микросхема, имеющая 400 элементов, является

• СИС
• СБИС
• МИС
• БИС

Биполярный транзистор:

• полупроводниковый прибор, в котором выходным током управляют с помощью электрического поля
• полупроводниковый прибор с одним выпрямляющим электирическим переходом
• полупроводниковый прибор с двумя p-n переходами, имеющий три вывода
• полупроводниковый прибор с двумя устойчивыми режимами работы, имеющий три p-n перехода

Если геометрическое расстояние между валентной зоной и зоной проводимости достаточно мало, то возникает пробой

• тепловой
• туннельный
• механический
• лавинный

Оптрон:

• светодиод — фототиристор
• фоторезистор-фотодиод
• фотодиод- фототиристор
• фотодиод-фототранзистор

На рисунке изображен МДП-транзистор

• со встроенным каналом p-типа
• со встроенным каналом n-типа
• с индуцированным каналом p-типа
• с индуцированным каналом n-типа

Параметрами полевого транзистора, характеризующими его свойства усиливать напряжение, являются: 1) крутизна стокозатворной характеристики; 2) внутреннее дифференциальное сопротивление; 3) статический коэффициент передачи тока затвора; 4) статический коэффициент передачи тока истока — из перечисленного

• 3, 4
• 1, 3
• 2, 4
• 1, 2

При инверсном режиме работы транзистора

• коллекторный переход смещен в обратном направлении, а эмиттерный — в прямом
• коллекторный и эмиттерный переходы смещены в прямом направлении
• коллекторный и эмиттерный переходы смещены в обратном направлении
• коллекторный переход смещен в прямом направлении, а эмиттерный — в обратном

Время спада диода зависит от: 1) времени жизни носителей; 2) барьерной емкости диода; 3) диффузной емкости диода; 4) тока, протекающего через диод — из перечисленного

• 2, 3
• 1, 4
• 1, 2
• 3, 4

Полевой транзистор:

• полупроводник с двумя устойчивыми режимами работы, имеющий три р-п перехода
• активный полупроводниковый прибор, в котором выходным током управляют с помощью электрического поля
• полупроводниковый прибор с двумя p-n-переходами, имеющий три вывода
• полупроводниковый прибор с одним выпрямляющим электрическим переходом

Режимами работы фотодиодов являются: 1) фотогенератора; 2) фотоусилителя; 3) фотопреобразователя; 4) фотоизлучателя — из перечисленного

• 1, 2
• 3, 4
• 2, 4
• 1, 3

Ячейки памяти на основе полевого транзистора с изолированным затвором выдерживают циклов записи/стирания не менее

• 10000
• 100000
• 100
• 1000

Концентрация неосновных носителей в полупроводнике сильно зависит от

• влажности окружающей среды
• концентрации примеси
• температуры окружающей среды
• давления окружающей среды

Основными достоинствами оптоэлектронных приборов являются: 1) большой коэффициент полезного действия; 2) наличие разнородных материалов; 3) высокая пропускная способность оптического канала; 4) идеальная электрическая развязка входа и выхода — из перечисленного

• 3, 4
• 2, 3
• 1, 2
• 1, 4

Если при движении до очередного соударения с атомом дырка (или электрон) приобретает энергию, достаточную для ионизации атома, то возникает пробой

• туннельный
• лавинный
• тепловой
• механический

На рисунке изображен МДП-транзистор

• со встроенным каналом p-типа
• с индуцированным каналом n-типа
• со встроенным каналом n-типа
• с индуцированным каналом p-типа