Схемотехника электронных запоминающих устройств. Часть 1

В динамических ОЗУ без обновления информация в виде зарядов конденсаторов может сохраняться

• 1..15 мс
• 10..100 мкс
• 1..3 с
• 50..150 мс

Запоминающими элементами в EPROM и E2PROM являются

• конденсаторы
• триггеры
• МНОП- и ЛИЗМОП-транзисторы
• диоды

В современных микропроцессорных системах кэш первого уровня (внутрипроцессорный) обычно имеет структуру

• частично ассоциативную
• наборно-ассоциативную
• с прямым размещением
• полностью ассоциативную

Очень хорошо подходит для графических и мультимедийных приложений ОЗУ типа

• EDORAM
• DRDRAM
• SDRAM
• RDRAM

В динамическом ОЗУ основой запоминающего элемента является

• триггер
• регистр
• конденсатор
• диод

На рисунке приведена структура кэш-памяти

• с прямым размещением
• частично ассоциативной
• полностью ассоциативной
• наборно-ассоциативной

В микросхемах SDRAM увеличивает поток информации от входа к выходу за единицу времени применение

• многобанковых структур
• команд для генерации, управляющих процессами в ЗУ
• увязки синхросигналов памяти с тактовой частотой системы
• конвейера

Из перечисленного информационный буфер позволяет 1) повысить независимость устройств, участвующих в обмене 2) хранить копии информации, используемой в текущих операциях обмена 3) согласовать скорости передачи и приема данных 4) работать в режиме непосредственного обмена с процессором

• 1, 3
• 3, 4
• 1, 2
• 2, 4

В табличном вычислителе на ПЗУ при увеличении разрядности входного числа на единицу требуется увеличить требуемый объем памяти

• на 1 ячейку
• в 2 раза
• в 4 раза
• на 2 ячейки

Служит для хранения копий информации, используемой в текущих операциях обмена память

• циклическая
• кэш
• основная
• стековая

В схемах Флэш-памяти стирание информации осуществляется

• только для всей памяти одновременно
• только для отдельных слов
• для всей памяти одновременно или для достаточно больших блоков
• для всей памяти, блоков или отдельных слов

Из перечисленного достоинствами статических ЗУ являются 1) высокое быстродействие 2) отсутствие необходимости регенерации 3) большая информационная емкость 4) невысокая стоимость

• 1, 2
• 1, 3
• 2, 3
• 2, 4

Буфер FIFO полон, если

• адрес чтения и адрес записи сравняются при чтении
• адрес чтения и адрес записи сравняются при записи
• адрес чтения равен нулю
• адрес чтения меньше адреса записи

На рисунке приведена схема использования ПЗУ для построения

• табличного вычислителя
• микропрограммного автомата
• комбинационной схемы
• генератора последовательности сигналов

Каждая ячейка хранит данные, а поле «тег» содержит полный физический адрес информации, копия которой записана, в кэш-памяти

• наборно-ассоциативной
• полностью ассоциативной
• частично ассоциативной
• с прямым размещением

В интерфейсе Rambus адреса

• генерируются специальным внутренним контроллером схемы
• формируются автоматически внутренними счетчиками схемы
• передаются в составе пакетов, включающих в себя команды и адреса
• передаются по специализированным адресным линиям

Время предустановки сигнала А относительно сигнала В есть интервал между

• началом сигнала А и окончанием сигнала В
• окончанием сигнала А и окончанием сигнала В
• началами обоих сигналов
• окончанием сигнала А и началом сигнала В

Схемам типа Boot Block Flash Memory присуще

• стирание всех данных одновременно и симметричная блочная архитектура
• стирание всех данных одновременно и несимметричная блочная архитектура
• блочное стирание данных и симметричная блочная архитектура
• блочное стирание данных и несимметричная блочная архитектура

Структура ЗУ, в которой вначале выбираются «длинные» слова с помощью дешифрации одной части адреса, а затем из них слова нужной разрядности с помощью дешифрации другой части адреса, называется

• 2M
• 2DM
• 3D
• 2D

В масочных ЗУ типа ROM(M) микросхемы программируются

• с помощью шаблона на завершающем этапе технологического процесса
• с помощью облучения кристалла ультрафиолетовыми лучами
• с помощью электрических сигналов
• устранением или созданием специальных перемычек

Для увеличения количества разрядов данных ПЗУ необходимо

• объединить одноименные адресные входы нескольких микросхем
• информационные выходы микросхем подключить к мультиплексору
• к адресным входам микросхем подключить выходы дешифратора
• объединить информационные выходы нескольких микросхем

Если необходимо увеличить частоту чтения информации из памяти, то надо соединить нужное количество микросхем памяти для увеличения разрядности шины данных, а затем применить на выходах данных схему на основе

• демультиплексора
• регистра сдвига
• дешифратора
• мультиплексора

При программировании РПЗУ-ЭС используются напряжения около

• 2 В
• 100 В
• 20 В
• 10 мВ

Из перечисленного достоинствами ЗУ с электрическим стиранием информации по сравнению с ЗУ с УФ-стиранием являются 1) возможность стирания информации индивидуально для каждого адреса 2) высокий уровень интеграции 3) низкая стоимость 4) большое число возможных циклов перепрограммирования

• 1, 4
• 3, 4
• 2, 4
• 1, 2

Методы повышения быстродействия, используемые в ОЗУ, основаны на предположении о

• кучности адресов при обращениях к ОЗУ
• более частом обращении к ячейкам с меньшими адресами
• равновероятности обращений ко всем ячейкам памяти
• более частом обращении к ячейкам с четными адресами

В статическом ОЗУ основой запоминающего элемента является

• конденсатор
• триггер
• транзистор
• диод

Буфер FIFO пуст, если

• адрес чтения больше адреса записи
• адрес записи равен нулю
• адрес чтения и адрес записи сравняются при чтении
• адрес чтения и адрес записи сравняются при записи

Видеопамять относится к типу ЗУ

• стековому
• FIFO
• циклическому
• файловому

Минимальный интервал времени между соседними однотипными обращениями к ЗУ называется

• временем записи
• циклом
• временем считывания
• темпом передач

Динамическое ОЗУ повышенного быстродействия, достигаемого путем кэширования, называется

• CDRAM
• SDRAM
• DRDRAM
• EDORAM

В ЗУ типа E2PROM микросхемы программируются

• с помощью шаблона на завершающем этапе технологического процесса
• с помощью облучения кристалла ультрафиолетовыми лучами
• с помощью электрических сигналов
• устранением или созданием специальных перемычек

Традиционным для динамических ЗУ является режим регенерации путем осуществления циклов

• чтения и записи по всем строкам матрицы ЗЭ
• чтения по всем столбцам матрицы ЗЭ
• чтения по всем строкам матрицы ЗЭ
• чтения и записи по всем столбцам матрицы ЗЭ

При последовательном доступе к памяти адрес записываемой или читаемой ячейки формируется

• программным обеспечением
• контроллером прямого доступа к памяти
• внутренними счетчиками схемы
• микропроцессором

На рисунке изображена схема памяти

• FIFO
• для хранения массивов данных
• LIFO
• с произвольным доступом

На рисунке изображена схема памяти

• с произвольным доступом
• для хранения массивов данных
• LIFO
• FIFO

Время выборки ЗУ — это интервал времени от появления сигнала

• CS до появления информационного сигнала на выходе
• адреса до появления сигнала CS
• адреса до завершения сигнала CS
• адреса до появления информационного сигнала на выходе

Быстродействие ЗУ оценивают

• временем считывания
• длительностью циклов чтения/записи
• временем считывания, записи и длительностью циклов чтения/записи
• временем считывания и записи

Регенерация данных используется для

• предотвращения потери информации вследствие перезаряда запоминающих конденсаторов токами утечки
• работы в режиме оперативного обмена данными с процессором
• повышение частоты тактирования в тракте обработки
• хранения копий информации, используемой в текущих операциях отмены с процессора

При использовании ПЗУ для построения микропрограммного автомата в каждом такте ПЗУ выдает код данных, который определяет

• состояние выходных сигналов схемы
• адрес ПЗУ, который установится в следующем такте
• состояние входных сигналов схемы, которые установятся в следующем такте
• состояние выходных сигналов схемы и адрес ПЗУ, который установится в следующем такте

Главное отличие буферной памяти от памяти для временного хранения информации состоит в том, что

• к буферу имеют доступ несколько внешних устройств
• для доступа к ячейке буферной памяти используется адрес
• буфер реализуется на основе конвейерных ОЗУ
• буфер реализуется на основе статических ОЗУ

Достоинством статических ОЗУ является

• большая емкость
• энергонезависимость
• высокое быстродействием
• низкая стоимость

СтратаФлэш — запоминающее устройство типа Флэш с

• с несимметричной блочной структурой
• одновременном стиранием всей информации
• с симметричной блочной структурой
• запоминанием двух битов в одном запоминающем элементе

Из перечисленного достоинствами файловой Флэш-памяти по сравнению с твердыми дисками являются 1) высокая информационная емкость 2) низкая стоимость 3) низкая потребляемая мощность 4) высокое быстродействие при чтении данных

• 3, 4
• 1, 4
• 2, 4
• 2, 3

Флэш-память по типу запоминающих элементов и основным принципам работы подобна памяти типа

• PROM
• EPROM
• ROM(M)
• E2PROM

Число циклов перезаписи у ЗУ с электрическим стиранием информации

• 1..10
• 104…106
• 108…1010
• 10…100

Время удержания сигнала А относительно сигнала В — это интервал между

• окончанием сигнала А и окончанием сигнала В
• началами обоих сигналов
• окончанием сигнала А и началом сигнала В
• началом сигнала А и окончанием сигнала В

В ЗУ типа PROM микросхемы программируются

• с помощью облучения кристалла ультрафиолетовыми лучами
• устранением или созданием специальных перемычек
• с помощью шаблона на завершающем этапе технологического процесса
• с помощью электрических сигналов

В ЗУ с последовательным доступом доступ к данным осуществляется

• по специальному признаку
• либо в порядке записи, либо в обратном порядке
• по местоположению в памяти
• случайным образом

Из перечисленного достоинством полностью ассоциативной кэш-памяти является 1) простота организации 2) функциональная гибкость 3) бесконфликтность адресов 4) малый размер тега

• 3, 4
• 1, 2
• 2, 3
• 2, 4

На рисунке приведена схема использования ПЗУ для построения

• табличного вычислителя
• генератора последовательности сигналов
• комбинационной схемы
• микропрограммного автомата