Электротехника и электроника. Часть 1

Характерной особенностью незапираемого тиристора является то, что

• его нельзя выключить с помощью тока управления
• изменение температуры влияет на значение обратного тока коллекторного перехода
• он передает части энергии усиливаемого сигнала из выходной цепи усилителя во входную
• полярности напряжений противоположны и происходит сдвиг фаз на 180° между UВХ и UВЫХ

Процесс, приводящий к исчезновению свободного электрона и дырки, называется

• ионизацией
• генерацией
• регенерацией
• рекомбинацией

Входной ток логической единицы интегральных схем — это

• входной ток, обеспечивающий формирование логического нуля
• значение тока, потребляемого интегральной схемой, от источников питания в заданном режиме
• значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах
• входной ток, обеспечивающий формирование логической единицы

Цифровые интегральные схемы предназначены для

• для задержки сигналов
• обработки сигналов, заданных в виде дискретных функций
• для обработки сигналов, заданных в виде непрерывной функции
• программирования и хранения цифровых массивов

Представляют собой законченное микроэлектронное устройство, способное выполнять функции аппаратуры, ____________ интегральные схемы

• средние
• большие
• сверхбольшие
• малые

Статические входные характеристики для схемы с ОЭ – это

• при UКЭ=const
• при UКБ=const
• при IБ=const
• при IЭ=const

Выходной ток логического нуля интегральных схем – это

• значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах
• выходной ток, обеспечивающий формирование логической единицы
• значение тока в выходной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии выхода и заданных режимах на остальных выводах
• выходной ток, обеспечивающий формирование логического нуля

Газоразрядные индикаторы представляют собой

• микроэлектронное изделие, выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала
• оптический квантовый генератор света высокой направленности, монохромности и когерентности
• вакуумный триод, содержащий прямоканальный катод, сетку и несколько анодов, покрытых люминофором
• газоразрядные диоды, содержащие один или несколько катодов и анод

Нормальным режим работы транзистора называют, когда

• один переход смещен в прямом направлении, а другой – в обратном
• в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный – в обратном
• оба p-n-перехода смещены в обратном направлении
• коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер – роль коллектора

В активном режиме зависимость тока коллектора от тока эмиттера

• обратно пропорциональна
• квадратичная
• практически линейна
• гиперболическая

Для участка вольт-ампер ной характеристики p-n-перехода, соответствующего пробою, характерно

• незначительное увеличение обратного напряжения при резком увеличении обратного тока
• значительное увеличение прямого напряжения при незначительном увеличении прямого тока
• незначительное увеличение прямого напряжения при резком увеличении прямого тока
• значительное увеличение обратного напряжения при незначительном увеличении обратного тока

Обедненный слой в приграничных областях слоя р и слоя n возникает в следствие диффузии

• электронов из слоя n в слой р
• электронов из слоя р в слой n
• дырок из слоя n в слой р
• дырок из слоя р в слой n

Термогенерация в области p-n-перехода оказывает су щественное влияние на ток потому, что

• область перехода обеднена подвижными носителями заряда, и процесс рекомбинации замедлен
• при разогреве полупроводника в области р-n-перехода происходит уменьшение удельной проводимости
• напряжение внешнего источника смещает p-n-переход в прямом направлении
• область перехода обеднена подвижными носителями заряда, и процесс генерации замедлен

Пробоем перехода называют резкое

• падение обратного тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения
• падение прямого тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения
• возрастание обратного тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения
• возрастание прямого тока даже при незначительном увеличении обратного напряжения сверх определенного значения

Полупроводниковый диод – это полупроводниковый прибор с

• двумя электрическими переходами, двумя омическими контактами с двумя выводами
• одним электрическим переходом и двумя омическими контактами с двумя выводами
• одним электрическим переходом и омическим контактом и тремя выводами
• одним электрическим переходом и омическим контактом с двумя выводами

Фотодиоды – это полупроводниковые фотоэлектрические приборы, имеющие

• два контакта, с меняющимся в зависимости от интенсивности падающего излучения электрическим сопротивлением
• p-n-переход, преобразующий электрическую энергию в энергию некогерентного светового излучения
• один p-n-переход и два контакта, использующие внутренний фотоэффект
• два p-n-перехода

Выпрямительный диод типа КД411А с следующими справочными данными: Uпр = 1,4 В; Iобр = 700 мкА; Uобр max = 700 В; Iпр max = 2 А может работать в цепях, где амплитудное напряжение не превышает …

• 700 В
• 2 В
• 1,4 В
• 350 В

Эмиттер – это

• крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для инжекции носителей
• крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для экстракции
• средняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей
• крайняя область в p-n-p структуре, характеризуемая наименьшей концентрацией примесей

Волоконно-оптические линии связи

• оптоэлектронный прибор в котором конструктивно объединены в общем корпусе излучатель на входе и фотоприемник на выходе, взаимодействующие друг с другом оптически и электрически
• приборы, преобразующие внешние физические воздействия в электрические сигналы
• устройства и системы, содержащие гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля, сочлененный с излучателем на одном конце и с фотоприемником на другом
• электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации

В схеме с ОК

• нет усиления по току
• происходит усиление по напряжению
• происходит усиление по напряжению и по мощности
• происходит усиление по току и по мощности

Усилительные свойства биполярных транзисторов обусловлены явлениями инжекции

• неосновных носителей и экстракции основных носителей заряда
• и экстракции неосновных носителей заряда
• основных носителей заряда
• основных носителей и экстракции неосновных носителей заряда

Для полевого транзистора выделяют схемы включения с общим(ей)

• затвором
• истоком
• базой
• стоком

Связи между компонентами оптопары могут быть

• прямыми или обратными
• положительными
• нейтральными
• отрицательными

Полевые транзисторы могут работать при температурах

• до 200 С
• от 100 С до 400 С
• от 200 С до 300 С
• близких к абсолютному нулю

Если отрезок времени, в течение которо го диод находится в режиме лавинного пробоя, велик, то

• резко увеличится прямое напряжения на переходе
• лавинный пробой перейдет в туннельный
• лавинный пробой перейдет в теп ловой
• резко уменьшается удельная проводимость р-n-перехода

Внесение в полупроводник донорной примеси

• уменьшает концентрации свободных электронов и дырок
• увеличивает концентрации свободных электронов и дырок
• увеличивает концентрацию свободных электронов, а концентрация дырок остается такой же
• увеличивает концентрацию дырок, а концентрация свободных электронов остается такой же

Молекулярные и ионные пленки, шунтирующие р-n-переход, являются причиной

• подавляющей доли поверхностных утечек в прямом токе
• туннельного пробоя
• лавинного пробоя
• подавляющей доли поверхностных утечек в обратном токе

Существуют типы полупроводниковых индикаторов

• одно- и многоразрядные
• цифровые и буквенно-цифровые
• светодиодные
• люминесцентные

Напряжение отпускания интегральных схем — это

• наименьшее значение падения напряжения на переходах ИС, при котором обеспечивается заданное значение электрических параметров И
• наибольшее значение падения напряжения на переходах интегральной схемы при протекании обратного тока
• наименьшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое
• наибольшее значение напряжения постоянного тока на входе, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

Лавинный пробой имеет место в (при)

• разогреве полупроводника в области р-n-перехода и соответствующем увеличении удельной проводимости
• р-n-переходах с низкоомной базой
• р-n-переходах с высокоомной базой
• отрицательном дифференциальном сопротивлении

Зоной проводимости называется свободная зона, в которой

• электроны присутствуют всегда
• электронов нет ни при каких температурных условиях
• при температуре 0 К электронов нет, а при более высокой — могут в ней быть
• при нормальных условиях электронов нет

Указанная на графике точка 1 для каскада, собранного по схеме с общим эмиттером — это точка отсечки. В этом случае транзистор …

• полностью открыт
• переводится в инверсный режим
• полностью закрыт
• находится в активном режиме и частично открыт

Инжекцией называется

• перемещение основных носители заряда в смежную область, где они являются основными
• выведение неосновных носителей заряда через переход под действием поля р-n перехода
• перемещение основных носители заряда в смежную область, где они являются неосновными
• перемещение неосновных носители заряда в смежную область, где они являются основными

Пороговое напряжение логической единицы интегральных схем — это

• значение низкого уровня напряжения для «положительной» логики и значение высокого уровня напряжения для «отрицательной» логики
• значение высокого уровня напряжения для «положительной» логики и значение низкого уровня напряжения для «отрицательной» логики
• наименьшее значение высокого уровня напряжения для «положительной» логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое
• наибольшее значение низкого уровня напряжения для «положительной» логики на входе ИС, при котором происходит переход ИС из одного устойчивого состояния в другое

Зависимость тока i от напряжения u в полупроводнике называют _________ характеристикой p-n-перехода

• внешней
• кулон-вольтной
• вольт-амперной
• вебер-амперной

Входной ток логического нуля интегральных схем — это

• входной ток, обеспечивающий формирование логического нуля
• входной ток, обеспечивающий формирование логической единицы
• значение тока, потребляемого интегральной схемой, от источников питания в заданном режиме
• значение тока во входной цепи интегральной схемы при закрытом состоянии входа и заданных режимах на остальных выводах

Дискретные фотоприемники – фотоприемники

• световой поток или яркость которого является функцией электрического сигнала, поступившего на его вход
• с малой площадью активной поверхности
• с высоким быстродействием
• монохроматической чувствительностью в заданной части спектра

Режимом отсечки называют режим работы транзистора, когда

• оба p-n-перехода смещены в обратном направлении
• один переход смещен в прямом направлении, а другой – в обратном
• коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер – роль коллектора
• в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный – в обратном

При высоких частотах сигнала в транзисторе

• наблюдаются фазовые сдвиги между эмиттерным и коллекторным токами
• канал образуется под воздействием электрического поля
• значение синусоидального сигнала равно малому приращению постоянных составляющих напряжения
• значение синусоидального сигнала равно малому приращению постоянных составляющих тока

Диффузия электронов из слоя n в слой р имеет место в

• неконтактирующих слоях полупроводника
• контактирующих слоях проводника
• контактирующих слоях полупроводника
• выпрямляющем электрическом переходе

Принцип работы стабилитрона основан на том, что на р-n переходе в области электрического пробоя при

• прямом токе напряжение изменяется незначительно при значительном изменении этого тока
• обратном напряжении напряжение изменяется незначительно при значительном изменении тока
• обратном токе напряжение изменяется незначительно при значительном изменении тока
• прямом напряжении напряжение изменяется незначительно при малом изменении тока

Диоды классифицируются по физической природе процессов, обусловливающих их работу на

• туннельные, фотодиоды, светодиоды
• кремниевые, германиевые, из арсенида галлия
• точечные и плоскостные
• выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы

В схеме с ОЭ

• происходит усиление по току и по мощности
• нет усиления по мощности
• происходит усиление по току и по напряжению
• нет усиления по току

Фотоэлектрические фотоприёмники

• полупроводниковые приборы с двумя устойчивыми режимами работы – включен, выключен, – имеющие три или более p-n переходов
• используют внешний или внутренний фотоэффект
• преобразуют внешние физические воздействия в электрические сигналы
• интегрируют результаты воздействия излучения за длительное время

При прямом включении в p-n переходе

• дрейфовый поток уменьшается
• диффузный увеличится
• потенциальный барьер увеличивается на величину напряжения U
• потенциальный барьер уменьшается на величину напряжения U

Туннельный пробой имеет место в (при)

• разогреве полупроводника в области р-n-перехода и соответствующем увеличении удельной проводимости
• р-n-переходах с низкоомной базой
• отрицательном дифференциальном сопротивлении
• р-n-переходах с высокоомной базой

Режиму обеднения полевого транзистора соответствует

• при увеличении концентрация дырок в канале уменьшается
• положительное напряжение
• чем больше модуль , тем больше проводимость канала
• отрицательное напряжение

Напряжение смещения интегральных схем – это значение напряжения постоянного тока на входе ис, при котором

• выходное напряжение равно заданному
• выходное напряжение равно нулю
• входное напряжение равно заданному
• входное напряжение равно нулю

Аналоговые интегральные схемы предназначены для

• для задержки сигналов
• программирования и хранения цифровых массивов
• обработки сигналов, заданных в виде дискретных функций
• обработки сигналов, заданных в виде непрерывной функции

По принципу действия фотоприёмники можно подразделить на

• тепловые
• содержащие гибкий волоконно-оптический световод в виде кабеля
• электрические управляемые приборы для систем визуального отображения информации
• фотоэлектрические