Электротехника и электроника (курс 2)

На рисунке изображен

• тиристор
• стабилитрон
• варикап
• туннельный диод

Из перечисленного основными достоинствами оптоэлектронных приборов являются: 1) большой коэффициент полезного действия 2) наличие разнородных материалов 3) высокая пропускная способность оптического канала 4) идеальная электрическая развязка входа и выхода

• 1, 4
• 1, 2
• 2, 3
• 3, 4

Искусственную обратную связь (ОС) применяют с целью

• увеличения коэффициента усиления
• уменьшения нелинейных искажений
• увеличения входной амплитуды сигнала
• сужения полосы пропускания

Разность нижней и верхней граничных частот усилителя называется

• динамическим диапазоном
• коэффициентом гармоник
• частотой среза
• полосой пропускания

Принцип работы стабилитрона основан на том, что на р-n переходе в области электрического пробоя

• при прямом напряжении напряжение изменяется незначительно при малом изменении тока
• при обратном напряжении напряжение изменяется незначительно при значительном изменении тока
• при прямом токе напряжение изменяется незначительно при значительном изменении этого тока
• при обратном токе напряжение изменяется незначительно при значительном изменении тока

В маломощных источниках питания используют ___________ выпрямители

• трехфазные
• двухфазные однополупериодные
• двухфазные двухполупериодные
• однофазные

При отсутствии сигнала на входе МДП-транзисторы с индуцированным каналом находятся

• в закрытом состоянии, но потребляют мощность от источника питания
• в открытом состоянии и потребляют мощность от источника питания
• в закрытом состоянии и не потребляют мощности от источника питания
• в открытом состоянии и не потребляют мощности от источника питания

Для многокаскадных усилителей коэффициент усиления равен

• сумме коэффициентов усиления отдельных каскадов
• коэффициенту усиления первого каскада
• произведению коэффициентов усиления отдельных каскадов
• коэффициенту усиления последнего каскада

В двухтактных выходных каскадах усилителей, имеющих высокий КПД, используется режим

• C
• D
• A
• В

Фототранзистор — это полупроводниковый фотоэлектрический прибор, имеющий

• p-n-переход, преобразующий электрическую энергию в энергию некогерентного светового излучения
• один p-n-переход и два контакта, использующие внутренний фотоэффект
• два p-n-перехода
• два контакта, с меняющимся в зависимости от интенсивности падающего излучения электрическим сопротивлением

При инверсном режиме работы транзистора коллекторный

• переход смещен в прямом направлении, а эмиттерный — в обратном
• и эмиттерный переходы смещены в прямом направлении
• и эмиттерный переходы смещены в обратном направлении
• переход смещен в обратном направлении, а эмиттерный — в прямом

Зоной проводимости называется свободная зона, в которой

• электроны присутствуют всегда
• при температуре 0 К электронов нет, а при более высокой — могут в ней быть
• электронов нет ни при каких температурных условиях
• при нормальных условиях электронов нет

Режимом отсечки называют режим работы транзистора, когда

• оба p-n-перехода смещены в обратном направлении
• коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер — роль коллектора
• в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный — в обратном
• один переход смещен в прямом направлении, а другой — в обратном

В схеме с общим эмиттером (ОЭ)

• усиление по току и по напряжению
• нет усиления по мощности
• усиление по току и по мощности
• нет усиления по току

На рисунке изображен МДП-транзистор

• со встроенным каналом p-типа
• со встроенным каналом n-типа
• с индуцированным каналом p-типа
• с индуцированным каналом n-типа

На рисунке изображена схема усилителя с

• общим эмиттером
• общей базой
• общим коллектором и общим эмиттером
• общим коллектором

Для полевого транзистора выделяют три схемы включения с общим(-ей): 1) затвором 2) базой 3) истоком 4) стоком 5) коллектором 6) эмиттером

• 2, 3, 4
• 1, 5, 6
• 1, 3, 4
• 2, 5, 6

Режим работы усилителя, при котором ток в выходной цепи протекает в течение половины периода входного сигнала, называется режимом

• D
• C
• A
• В

При тепловом пробое

• р-n переход перестает функционировать до восстановления первоначального напряжения
• р-n переход не разрушается и сохраняет работоспособность
• разрушается кристаллическая структура полупроводника
• р-n переход не разрушается, но не сохраняет работоспособность

На рисунке изображен

• варикап
• диод Шоттки
• туннельный диод
• тиристор

Инверсным режим работы транзистора называют, когда

• оба p-n-перехода смещены в обратном направлении
• коллектор выполняет роль эмиттера, а эмиттер — роль коллектора
• в прямом направлении включен эмиттерный переход, а коллекторный — в обратном
• один переход смещен в прямом направлении, а другой — в обратном

Истоком называют

• контакт, через который носители заряда вытекают
• часть объема пластины полупроводника, расположенная между p-n-переходами
• контакт, через который носители заряда входят в канал
• общий электрод от контактов областей

На рисунке изображен МДП-транзистор

• с индуцированным каналом p-типа
• со встроенным каналом n-типа
• с индуцированным каналом n-типа
• со встроенным каналом p-типа

Из перечисленного основными недостатками оптоэлектронных приборов являются: 1) малый коэффициент полезного действия 2) наличие разнородных материалов 3) малая пропускная способность оптического канала 4) плохая электрическая развязка входа и выхода

• 3, 4
• 1, 4
• 1, 2
• 2, 3

Стабилитрон — это полупроводниковый диод

• с одним электрическим переходом и двумя омическими контактами с двумя выводами
• обладающий усилительными свойствами
• сконструированный на основе вырожденного полупроводника
• работающий в режиме электрического пробоя

Концентрация основных носителей в полупроводнике в основном определяется

• температурой окружающей среды
• влажностью окружающей среды
• давлением окружающей среды
• концентрацией примеси

Схему с общим эмиттером называют так потому, что эмиттер

• заземлен
• соединен с базой
• соединен с коллектором
• является общим электродом для источников напряжения

Из-за наличия шумов в усилителе нельзя использовать

• сигналы с большими амплитудами
• низкочастотные сигналы
• сколь угодно малые сигналы
• высокочастотные сигналы

Интегральная микросхема, имеющая N элементов, имеет степень интеграции

• lg N
• ln N
• N
• 2N

Дрейфовым током является перемещение

• основных носителей против поля р-n перехода
• неосновных носителей в направлении поля р-n перехода
• одновременно с основными носителями неосновных носителей в направлении поля р-n перехода
• одновременно с основными носителями неосновных носителей против поля р-n перехода

Увеличение проводимости, вызванное потоком фотонов, называется

• пробоем
• генерацией
• инжекцией
• фотоэффектом

Статические входные характеристики для схемы с общей базой (ОБ)

• при IЭ=const
• при UКЭ=const
• при IБ=const
• при UКБ=const

База биполярного транзистора

• средняя область в p-n-p структуре, характеризуется наименьшей концентрацией примесей
• крайняя область в p-n-p структуре, характеризуется наименьшей концентрацией примесей
• крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для инжекции носителей
• крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для экстракции

Концентрация неосновных носителей в полупроводнике сильно зависит от

• влажности окружающей среды
• температуры окружающей среды
• давления окружающей среды
• концентрации примеси

Диоды классифицируются по технологии изготовления электрического перехода на

• точечные и плоскостные
• кремниевые, германиевые, из арсенида галлия
• выпрямительные, импульсные, стабилитроны, варикапы
• сплавные, диффузионные

На рисунке изображена схема усилителя с

• общим коллектором и общим эмиттером
• общим эмиттером
• общей базой
• общим коллектором

Фотодиоды — это полупроводниковые фотоэлектрические приборы, имеющие

• p-n-переход, преобразующий электрическую энергию в энергию некогерентного светового излучения
• два p-n-перехода
• один p-n-переход и два контакта, использующие внутренний фотоэффект
• два контакта, с меняющимся в зависимости от интенсивности падающего излучения электрическим сопротивлением

Внесение в полупроводник донорной примеси

• увеличивает концентрацию свободных электронов, а концентрация дырок остается такой же
• уменьшает концентрации свободных электронов и дырок
• увеличивает концентрацию дырок, а концентрация свободных электронов остается такой же
• увеличивает концентрации свободных электронов и дырок

Полупроводниковый диод, предназначенный для работы в качестве конденсатора, емкость которого управляется напряжением, — это

• стабилитрон
• диод Шоттки
• стабистор
• варикап

Ток покоя равен нулю в режиме

• С
• А
• В
• АВ

Тепловым называют ток, образованный

• концентрацией основных носителей заряда р-n перехода
• перемещением основных носителей заряда в смежную область, где они являются неосновными
• концентрацией неосновных носителей заряда р-n перехода
• перемещением неосновных носителей заряда в смежную область, где они являются основными

Если активным элементом усилителя является полевой транзистор, то изменение температуры может повлиять на

• значение обратного тока коллекторного перехода
• напряжение отсечки и крутизну характеристики
• значение теплового тока
• значение коэффициента усиления по току

На практике тиристор обычно включают током управления

• постоянным
• импульсным
• переменным с малой частотой
• переменным с большой частотой

На рисунке изображена схема усилителя с

• общим коллектором и общим эмиттером
• общим коллектором
• общей базой
• общим эмиттером

Плёночная схема — это

• микроэлектронное изделие, выполняющее определённую функцию преобразования и обработки сигнала
• интегральная схема, в которой все элементы и межэлементные соединения выполнены в объёме или на поверхности полупроводника
• интегральная схема, в которой отдельные элементы и межэлементные соединения выполняются на поверхности диэлектрика
• интегральная схема, которая содержит компоненты и отдельные кристаллы полупроводника

Эмиттер

• крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для экстракции
• крайняя область в p-n-p структуре биполярного транзистора, используемая для инжекции носителей
• средняя область в p-n-p структуре, характеризуется наименьшей концентрацией примесей
• крайняя область в p-n-p структуре, характеризуется наименьшей концентрацией примесей

Преимуществом режима А усилителя являют(ет)ся

• нечувствительность к помехам
• отсутствие дрейфа нуля
• высокий КПД
• малые нелинейные искажения

В маломощных выходных каскадах усилителей используется режим

• D
• B
• А
• C

В выпрямительных диодах используется свойство

• большой барьерной емкости р-n перехода
• возможность работы на на низких частотах
• небольшого времени перезарядки емкости
• односторонней проводимости р-n перехода

Варикап можно рассматривать как

• активный четырехполюсник
• электрически управляемую катушку индуктивности
• интегральную микросхему
• конденсатор с электрически управляемой емкостью